国内刊号:44-1251/T
国际刊号:1000-565X
发布日期:
作者:王振民 吴健文 范文艳 叶春显
单位:1. 华南理工大学 机械与汽车工程学院,广东 广州 510640; 2. 深圳市鹏源电子有限公司,广东 深圳 518000
关键词:等离子体电源,谐振变换器,SiC MOSFET,功率密度,效率
基金:国家自然科学基金资助项目( 51875212) ; 广东省科技计划项目( 2018A030313192,2017B090901023, 2016B090927008,) ;广州市国际合作项目( 201807010035)
利用 SiC MOSFET 能简化电路拓扑、提高电源的功率密度和效率. 为推动大功率 等离子体电源的升级换代,提出了一种采用新型 SiC 功率器件的全桥谐振变换器. 该谐振 变换器的主电路采用 LLC Zero Voltage Switching( ZVS) 拓扑结构,可将谐振换流频率范围 增大至260 ~310kHz. 设计的高频高压全桥 LLC ZVS 谐振变换器样机的额定输出功率为 8kW,输出电压为270V. 对所研制的8kW 级 SiC MOSFET 全桥 LLC ZVS 谐振变换器样机 的驱动性能、换流过程、温升以及效率进行了测试,结果表明,研制的谐振软开关等离子体 电源性能优良,工作稳定可靠,效率和功率密度均优于使用传统 Si MOSFET 的 LLC 谐振 变换器.
来源:2019年第1期
《华南理工大学学报(自然科学版)》期刊编辑部